Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN10H120SE-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
622554Gambar DMN10H120SE-13.Diodes Incorporated

DMN10H120SE-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.237
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN10H120SE-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN10H120SE-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-223
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    110 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.3W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-261-4, TO-261AA
  • Nama lain
    DMN10H120SE-13DITR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    549pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    6V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    100V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 100V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    3.6A (Ta)

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN10H120SE-13".
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.