Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN1053UCP4-7
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1931713

DMN1053UCP4-7

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.169
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN1053UCP4-7
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN1053UCP4-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    X3-DSN0808-4
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    42 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Power Disipasi (Max)
    1.34W
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    4-XFBGA, CSPBGA
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Manufacturer Standard Lead Time
    8 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    908pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    1.2V, 4.5V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    12V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 12V 2.7A (Ta) 1.34W Surface Mount X3-DSN0808-4
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN1053UCP4-7".
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Deskripsi: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.