Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN10H170SFG-7
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3235008Gambar DMN10H170SFG-7.Diodes Incorporated

DMN10H170SFG-7

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$0.56
10+
$0.483
100+
$0.361
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN10H170SFG-7
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN10H170SFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    PowerDI3333-8
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    122 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    940mW (Ta)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    8-PowerWDFN
  • Nama lain
    DMN10H170SFG-7CT
    DMN10H170SFG-7CT-ND
    DMN10H170SFG-7DICT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    870.7pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.9nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    100V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 100V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Ta), 8.5A (Tc)

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26

Kartu grafis NVIDIA RTX 5090 memiliki area GPU 744mm ², ya...

2024/11/25

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN10H170SFG-7".
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.