Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN10H170SVT-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2440815Gambar DMN10H170SVT-13.Diodes Incorporated

DMN10H170SVT-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
10000+
$0.188
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN10H170SVT-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN10H170SVT-13.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TSOT-26
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    160 mOhm @ 5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.2W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Nama lain
    DMN10H170SVT-13DI
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    24 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1167pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.7nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    100V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN10H170SVT-13".
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220L-13

DMN10H220L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.