Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMJ70H1D3SI3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4260528Gambar DMJ70H1D3SI3.Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SI3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$1.25
75+
$0.998
150+
$0.873
525+
$0.677
1050+
$0.535
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMJ70H1D3SI3
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMJ70H1D3SI3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-251
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    41W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Nama lain
    DMJ70H1D3SI3-ND
    DMJ70H1D3SI3DI
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    7 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    351pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    700V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMJ70H1D3SI3".
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Produsen: Skyworks Solutions, Inc.
Persediaan
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
IRF7490PBF

IRF7490PBF

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
IRL8113STRLPBF

IRL8113STRLPBF

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

Deskripsi: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Deskripsi: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
FQB5N20LTM

FQB5N20LTM

Deskripsi: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1

Deskripsi: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Deskripsi: MOSFET N-CH TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Produsen: IXYS Corporation
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.