Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMT8012LSS-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
260307Gambar DMT8012LSS-13.Diodes Incorporated

DMT8012LSS-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.403
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMT8012LSS-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMT8012LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    16.5 mOhm @ 12A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.5W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    DMT8012LSS-13DITR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1949pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    80V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 80V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    9.7A (Ta)

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMT8012LSS-13".
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Deskripsi: MOSFET 100V 108A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Deskripsi: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Deskripsi: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Deskripsi: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Deskripsi: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Deskripsi: MOSFET NCH 100V TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Deskripsi: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Deskripsi: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Deskripsi: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Deskripsi: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Deskripsi: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Produsen: Cornell Dubilier Electronics
Persediaan
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.