Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMJ70H601SK3-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
5401069Gambar DMJ70H601SK3-13.Diodes Incorporated

DMJ70H601SK3-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
75+
$1.439
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMJ70H601SK3-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMJ70H601SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-252, (D-Pak)
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.1A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    125W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Manufacturer Standard Lead Time
    8 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    686pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.9nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    700V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 700V 8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMJ70H601SK3-13".
AOT12N65_001

AOT12N65_001

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V TO220

Produsen: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Persediaan
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Produsen: Skyworks Solutions, Inc.
Persediaan
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
IRF6706S2TRPBF

IRF6706S2TRPBF

Deskripsi: MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
IRFU9024

IRFU9024

Deskripsi: MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Deskripsi: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
NVMFS6B85NLT1G

NVMFS6B85NLT1G

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Deskripsi: MOSFET N-CH TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Deskripsi: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
IPP65R310CFDXKSA1

IPP65R310CFDXKSA1

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
ECH8419-TL-H

ECH8419-TL-H

Deskripsi: MOSFET N-CH 35V 9A ECH8

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FCP7N60_F080

FCP7N60_F080

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
STH12N120K5-2

STH12N120K5-2

Deskripsi: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

Produsen: STMicroelectronics
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.