Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMJ70H600SH3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1185594

DMJ70H600SH3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
75+
$1.667
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMJ70H600SH3
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMJ70H600SH3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-251
  • Seri
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.4A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    113W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-251-3, IPak, Short Leads
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Manufacturer Standard Lead Time
    8 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    643pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.2nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    700V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 700V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26

Kartu grafis NVIDIA RTX 5090 memiliki area GPU 744mm ², ya...

2024/11/25

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMJ70H600SH3".
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
IXTK40P50P

IXTK40P50P

Deskripsi: MOSFET P-CH 500V 40A TO-264

Produsen: IXYS Corporation
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Deskripsi: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMP4050SSS-13

DMP4050SSS-13

Deskripsi: MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Deskripsi: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Deskripsi: MOSFET N-CH TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZVP2120ASTZ

ZVP2120ASTZ

Deskripsi: MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
APT12M80B

APT12M80B

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Produsen: Skyworks Solutions, Inc.
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
IPS04N03LB G

IPS04N03LB G

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 50A IPAK

Produsen: International Rectifier (Infineon Technologies)
Persediaan
RFQ
FDS7066N7

FDS7066N7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 23A 8-SOIC

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
FDMS2504SDC

FDMS2504SDC

Deskripsi: MOSFET N-CH 25V 42A POWER56

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.