Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N5809US
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6547855

JAN1N5809US

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
100+
$10.528
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    JAN1N5809US
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS tidak patuh
  • Lembar data
    JAN1N5809US.pdf
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    875mV @ 4A
  • Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max)
    100V
  • Paket Perangkat pemasok
    B, SQ-MELF
  • Kecepatan
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seri
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    30ns
  • Pengemasan
    Bulk
  • Paket / Case
    SQ-MELF, B
  • Nama lain
    1086-2125
    1086-2125-MIL
  • Suhu Operasional - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    8 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diode Jenis
    Standard
  • Detil Deskripsi
    Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    5µA @ 100V
  • Saat ini - rata Rectified (Io)
    6A
  • Kapasitansi @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "JAN1N5809US".
JAN1N5806

JAN1N5806

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5907

JAN1N5907

Deskripsi: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.