Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N5806
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4979930Gambar JAN1N5806.Microsemi

JAN1N5806

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$11.55
10+
$10.395
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    JAN1N5806
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS tidak patuh
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    975mV @ 2.5A
  • Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max)
    150V
  • Kecepatan
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seri
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    25ns
  • Pengemasan
    Bulk
  • Paket / Case
    A, Axial
  • Nama lain
    1086-2121
    1086-2121-MIL
  • Suhu Operasional - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    8 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diode Jenis
    Standard
  • Detil Deskripsi
    Diode Standard 150V 2.5A Through Hole
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    1µA @ 150V
  • Saat ini - rata Rectified (Io)
    2.5A
  • Kapasitansi @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "JAN1N5806".
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Deskripsi: TVS DIODE 111V 179V DO13

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Deskripsi: TVS DIODE 10CFLATPACK

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.