Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N5806URS
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2981979

JAN1N5806URS

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
100+
$21.69
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    JAN1N5806URS
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS tidak patuh
  • Lembar data
    JAN1N5806URS.pdf
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    875mV @ 1A
  • Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max)
    150V
  • Paket Perangkat pemasok
    A-MELF
  • Kecepatan
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seri
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    25ns
  • Pengemasan
    Bulk
  • Paket / Case
    SQ-MELF, A
  • Nama lain
    1086-19435
    1086-19435-MIL
  • Suhu Operasional - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diode Jenis
    Standard
  • Detil Deskripsi
    Diode Standard 150V 1A Surface Mount A-MELF
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    1µA @ 150V
  • Saat ini - rata Rectified (Io)
    1A
  • Kapasitansi @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "JAN1N5806URS".
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Deskripsi: TVS DIODE 10CFLATPACK

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.