Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Array > DMN63D8LDW-7
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
851302Gambar DMN63D8LDW-7.Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-7

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.059
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN63D8LDW-7
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN63D8LDW-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-363
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • Listrik - Max
    300mW
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Nama lain
    DMN63D8LDW-7TR
    DMN63D8LDW7
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    24 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    22pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    870nC @ 10V
  • FET Jenis
    2 N-Channel (Dual)
  • Fitur FET
    Logic Level Gate
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    220mA
  • Nomor Bagian Dasar
    DMN63D8L

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN63D8LDW-7".
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.