Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN65D8LFB-7
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
242702Gambar DMN65D8LFB-7.Diodes Incorporated

DMN65D8LFB-7

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.062
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN65D8LFB-7
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN65D8LFB-7.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    X1-DFN1006-3
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 115mA, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    430mW (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    3-UFDFN
  • Nama lain
    DMN65D8LFB-7-ND
    DMN65D8LFB-7DITR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    25pF @ 25V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    60V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    260mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN65D8LFB-7".
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Deskripsi: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Deskripsi: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.