Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN63D8L-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
12158Gambar DMN63D8L-13.Diodes Incorporated

DMN63D8L-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
10000+
$0.037
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN63D8L-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN63D8L-13.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-23-3
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    350mW (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Nama lain
    DMN63D8L-13DI
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    12 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    23.2pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.9nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    2.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 350mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    350mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN63D8L-13".
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1L-13

DMN63D1L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.