Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN2013UFDE-7
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3405213Gambar DMN2013UFDE-7.Diodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.222
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN2013UFDE-7
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN2013UFDE-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 8.5A, 4.5V
  • Power Disipasi (Max)
    660mW (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    6-UDFN Exposed Pad
  • Nama lain
    DMN2013UFDE-7DITR
    DMN2013UFDE7
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    16 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2453pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.8nC @ 8V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    1.5V, 4.5V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    20V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 20V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    10.5A (Ta)

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN2013UFDE-7".
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Deskripsi: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.