Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN2009LSS-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6364139Gambar DMN2009LSS-13.Diodes Incorporated

DMN2009LSS-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.33
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN2009LSS-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN2009LSS-13.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SOP
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 12A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    2W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2555pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58.3nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    2.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    20V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 20V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN2009LSS-13".
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Deskripsi: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.