Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Array > DMN2016UTS-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1367747

DMN2016UTS-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$0.73
10+
$0.616
100+
$0.462
500+
$0.339
1000+
$0.262
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN2016UTS-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN2016UTS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Paket Perangkat pemasok
    8-TSSOP
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Listrik - Max
    880mW
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Nama lain
    DMN2016UTS-13DICT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1495pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16.5nC @ 4.5V
  • FET Jenis
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Fitur FET
    Logic Level Gate
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    20V
  • Detil Deskripsi
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    8.58A
  • Nomor Bagian Dasar
    DMN2016U

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN2016UTS-13".
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Deskripsi: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.