Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N6625U
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6199377

JAN1N6625U

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    JAN1N6625U
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS tidak patuh
  • Tegangan - Puncak terbalik (Max)
    Standard
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    1A
  • Tegangan - Breakdown
    D-5A
  • Seri
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Status RoHS
    Bulk
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistance @ Jika, F
    -
  • Polarisasi
    SQ-MELF, A
  • Nama lain
    1086-19975
    1086-19975-MIL
  • Suhu Operasional - Junction
    30ns
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Nomor Bagian Produsen
    JAN1N6625U
  • Deskripsi yang Diperluas
    Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
  • Konfigurasi diode
    1µA @ 1000V
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    1.75V @ 1A
  • Saat ini - rata Rectified (Io) (per Diode)
    1000V (1kV)
  • Kapasitansi @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "JAN1N6625U".
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Deskripsi: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Deskripsi: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Deskripsi: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Deskripsi: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Deskripsi: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.