Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N6622
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2259051

JAN1N6622

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    JAN1N6622
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS tidak patuh
  • Lembar data
    JAN1N6622.pdf
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    1.6V @ 2A
  • Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max)
    660V
  • Kecepatan
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seri
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    30ns
  • Pengemasan
    Bulk
  • Paket / Case
    A, Axial
  • Nama lain
    1086-2301
    1086-2301-MIL
  • Suhu Operasional - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diode Jenis
    Standard
  • Detil Deskripsi
    Diode Standard 660V 2A Through Hole
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    500nA @ 660V
  • Saat ini - rata Rectified (Io)
    2A
  • Kapasitansi @ Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "JAN1N6622".
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Deskripsi: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Deskripsi: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Deskripsi: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Deskripsi: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Deskripsi: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Deskripsi: TVS DIODE 14CDIP

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Deskripsi: TVS DIODE 14CDIP

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.