Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > R6011KNJTL
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
3173586Gambar R6011KNJTL.LAPIS Semiconductor

R6011KNJTL

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1000+
$1.101
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    R6011KNJTL
  • Pabrikan / Merek
    LAPIS Technology
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    1.R6011KNJTL.pdf
    2.R6011KNJTL.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-263
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    124W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Nama lain
    R6011KNJTLTR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    17 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    740pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    600V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 600V 11A (Tc) 124W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "R6011KNJTL".
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011ENX

R6011ENX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Deskripsi: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011425XXYA

R6011425XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011230XXYA

R6011230XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6011225XXYA

R6011225XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.