Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > R6011ENX
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4941282Gambar R6011ENX.LAPIS Semiconductor

R6011ENX

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$3.39
10+
$3.059
100+
$2.458
500+
$1.912
1000+
$1.584
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    R6011ENX
  • Pabrikan / Merek
    LAPIS Technology
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    R6011ENX.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-220FM
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    390 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    40W (Tc)
  • Pengemasan
    Bulk
  • Paket / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Nama lain
    R6011ENXCT
    R6011ENXCT-ND
  • Suhu Operasional
    150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    17 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    670pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    600V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 600V 11A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "R6011ENX".
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011230XXYA

R6011230XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012225XXYA

R6012225XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011225XXYA

R6011225XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011430XXYA

R6011430XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012ANX

R6012ANX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Deskripsi: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011030XXYA

R6011030XXYA

Deskripsi: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6011425XXYA

R6011425XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6011KNX

R6011KNX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.