Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIS822DNT-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1677980Gambar SIS822DNT-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS822DNT-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
6000+
$0.127
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SIS822DNT-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
  • Lembar data
    SIS822DNT-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    PowerPAK® 1212-8
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    15.6W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Manufacturer Standard Lead Time
    27 Weeks
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    435pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SIS822DNT-T1-GE3".
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Deskripsi: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Deskripsi: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.