Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIS778DN-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2046683Gambar SIS778DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS778DN-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SIS778DN-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
  • Lembar data
    SIS778DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    PowerPAK® 1212-8
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 10A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    52W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Suhu Operasional
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1390pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42.5nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    Schottky Diode (Body)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SIS778DN-T1-GE3".
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Deskripsi: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Deskripsi: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.