Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIHU6N80E-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
5474281Gambar SIHU6N80E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHU6N80E-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$2.69
10+
$2.428
100+
$1.951
500+
$1.517
1000+
$1.257
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SIHU6N80E-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CHAN 800V TO-251
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SIHU6N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    IPAK (TO-251)
  • Seri
    E
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    940 mOhm @ 3A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    78W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    827pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    800V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 800V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    5.4A (Tc)

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SIHU6N80E-GE3".
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHW23N60E-GE3

SIHW23N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHW33N60E-GE3

SIHW33N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHW47N60E-GE3

SIHW47N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHW47N65E-GE3

SIHW47N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHW70N60EF-GE3

SIHW70N60EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHW61N65EF-GE3

SIHW61N65EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHW47N60EF-GE3

SIHW47N60EF-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHW30N60E-GE3

SIHW30N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.