Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIHU2N80E-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
823865Gambar SIHU2N80E-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHU2N80E-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$1.83
10+
$1.622
100+
$1.282
500+
$0.994
1000+
$0.785
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SIHU2N80E-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SIHU2N80E-GE3.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    IPAK (TO-251)
  • Seri
    E
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    2.75 Ohm @ 1A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    62.5W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    315pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19.6nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    800V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 800V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SIHU2N80E-GE3".
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Produsen: Vishay Siliconix
Persediaan
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU3N50D-E3

SIHU3N50D-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.