Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI4892DY-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4634901

SI4892DY-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI4892DY-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI4892DY-T1-GE3.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 12.4A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.6W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    8.8A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI4892DY-T1-GE3".
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4900DY-T1-GE3

SI4900DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.