Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI4890BDY-T1-E3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1168594

SI4890BDY-T1-E3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.612
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI4890BDY-T1-E3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI4890BDY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 10A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1535pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 16A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26

Kartu grafis NVIDIA RTX 5090 memiliki area GPU 744mm ², ya...

2024/11/25

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI4890BDY-T1-E3".
SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.