Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI4190DY-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6444268

SI4190DY-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI4190DY-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI4190DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    SI4190DY-T1-GE3CT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2000pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    58nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    100V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 100V 20A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI4190DY-T1-GE3".
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Deskripsi: BOARD EVAL FOR SI4200

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4200-GM

SI4200-GM

Deskripsi: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4201-GM

SI4201-GM

Deskripsi: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4201-BM

SI4201-BM

Deskripsi: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4200-BM

SI4200-BM

Deskripsi: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Produsen: Energy Micro (Silicon Labs)
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.