Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI4172DY-T1-GE3
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4710416

SI4172DY-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.367
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI4172DY-T1-GE3
  • Pabrikan / Merek
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI4172DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    TrenchFET®
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 11A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    SI4172DY-T1-GE3-ND
    SI4172DY-T1-GE3TR
    SI4172DYT1GE3
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    820pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 15A (Tc) 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI4172DY-T1-GE3".
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.