Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Array > ZXMN3A04DN8TA
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6300409Gambar ZXMN3A04DN8TA.Diodes Incorporated

ZXMN3A04DN8TA

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$2.06
10+
$1.857
100+
$1.493
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    ZXMN3A04DN8TA
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    ZXMN3A04DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SO
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 12.6A, 10V
  • Listrik - Max
    1.81W
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    ZXMN3A04DN8CT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1890pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36.8nC @ 10V
  • FET Jenis
    2 N-Channel (Dual)
  • Fitur FET
    Logic Level Gate
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 1.81W Surface Mount 8-SO
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    6.5A

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26

Kartu grafis NVIDIA RTX 5090 memiliki area GPU 744mm ², ya...

2024/11/25

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "ZXMN3A04DN8TA".
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.