Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > ZXMN3A03E6TA
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1125037Gambar ZXMN3A03E6TA.Diodes Incorporated

ZXMN3A03E6TA

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.35
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    ZXMN3A03E6TA
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    ZXMN3A03E6TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-23-6
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.1W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    SOT-23-6
  • Nama lain
    ZXMN3A03E6TR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "ZXMN3A03E6TA".
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.