Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN3112S-7
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4768027Gambar DMN3112S-7.Diodes Incorporated

DMN3112S-7

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN3112S-7
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN3112S-7.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-23-3
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    57 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.4W (Ta)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Nama lain
    DMN3112SDICT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    268pF @ 5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 5.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    5.8A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN3112S-7".
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.