Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN3070SSN-7
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6264126Gambar DMN3070SSN-7.Diodes Incorporated

DMN3070SSN-7

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$0.48
10+
$0.378
100+
$0.259
500+
$0.178
1000+
$0.133
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN3070SSN-7
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN3070SSN-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SC-59
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 4.2A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    780mW (Ta)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Nama lain
    DMN3070SSN-7DICT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    697pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13.2nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 4.2A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount SC-59
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN3070SSN-7".
DMN3065LW-13

DMN3065LW-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 4A SOT323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3053L-13

DMN3053L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3052L-7

DMN3052L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3053L-7

DMN3053L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.