Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN3020LK3-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
2218265Gambar DMN3020LK3-13.Diodes Incorporated

DMN3020LK3-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN3020LK3-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN3020LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-252-3
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 7A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    2.17W (Ta)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Nama lain
    DMN3020LK3-13DICT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    608pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.3nC @ 4.5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 11.3A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    11.3A (Ta)

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26

Kartu grafis NVIDIA RTX 5090 memiliki area GPU 744mm ², ya...

2024/11/25

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN3020LK3-13".
DMN3021LFDF-7

DMN3021LFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3024LSS-13

DMN3024LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Deskripsi: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3024LK3-13

DMN3024LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 9.78A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3021LFDF-13

DMN3021LFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Deskripsi: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3023L-7

DMN3023L-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3024LSD-13

DMN3024LSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3023L-13

DMN3023L-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

Deskripsi: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.