Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN3016LK3-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1796072Gambar DMN3016LK3-13.Diodes Incorporated

DMN3016LK3-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$0.68
10+
$0.569
100+
$0.426
500+
$0.313
1000+
$0.242
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN3016LK3-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN3016LK3-13.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-252
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    12 mOhm @ 11A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1.6W (Ta)
  • Pengemasan
    Original-Reel®
  • Paket / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Nama lain
    DMN3016LK3-13DIDKR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    24 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1415pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.1nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 12.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    12.4A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN3016LK3-13".
DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SFG-7

DMN3018SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SFGQ-13

DMN3018SFGQ-13

Deskripsi: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13

Deskripsi: MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SFGQ-7

DMN3018SFGQ-7

Deskripsi: MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LFDF-7

DMN3016LFDF-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3020LK3-13

DMN3020LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LDV-7

DMN3016LDV-7

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3020UFDF-13

DMN3020UFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LFDE-13

DMN3016LFDE-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LFDF-13

DMN3016LFDF-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LDV-13

DMN3016LDV-13

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.