Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN3009SFGQ-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
146215Gambar DMN3009SFGQ-13.Diodes Incorporated

DMN3009SFGQ-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.498
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN3009SFGQ-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS Compliant
  • Lembar data
    DMN3009SFGQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    PowerDI3333-8
  • Seri
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    900mW (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-PowerVDFN
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    32 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2000pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta), 45A (Tc)

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN3009SFGQ-13".
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Deskripsi: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Deskripsi: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13

Deskripsi: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3016LDN-13

DMN3016LDN-13

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3012LFG-7

DMN3012LFG-7

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Deskripsi: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Deskripsi: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3012LFG-13

DMN3012LFG-13

Deskripsi: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.