Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > DMN3009LFVW-13
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4737911Gambar DMN3009LFVW-13.Diodes Incorporated

DMN3009LFVW-13

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.265
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    DMN3009LFVW-13
  • Pabrikan / Merek
    Diodes Incorporated
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    PowerDI3333-8
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 30A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-PowerVDFN
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    20 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2000pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "DMN3009LFVW-13".
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3010LSS-13

DMN3010LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Deskripsi: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 43A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Deskripsi: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Deskripsi: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Deskripsi: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Deskripsi: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.