Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Sirkuit Terpadu (IC) > Ingatan > W987D6HBGX7E TR
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
155609Gambar W987D6HBGX7E TR.Winbond Electronics Corporation

W987D6HBGX7E TR

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$2.394
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    W987D6HBGX7E TR
  • Pabrikan / Merek
    Winbond Electronics Corporation
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    W987D6HBGX7E TR.pdf
  • Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman
    15ns
  • Tegangan - Pasokan
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Teknologi
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Paket Perangkat pemasok
    54-VFBGA (8x9)
  • Seri
    -
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    54-TFBGA
  • Nama lain
    W987D6HBGX7E TR-ND
    W987D6HBGX7ETR
  • Suhu Operasional
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • memory Type
    Volatile
  • Ukuran memori
    128Mb (8M x 16)
  • Antarmuka Memori
    Parallel
  • Format Memori
    DRAM
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detil Deskripsi
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
  • Frekuensi Jam
    133MHz
  • Waktu akses
    5.4ns

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "W987D6HBGX7E TR".
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

Deskripsi: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Deskripsi: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Produsen: Winbond Electronics Corporation
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.