Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

*Nama Perusahaan
*Nama
*Judul

*Alamat email
*Nomor telepon

*Negara
*Jendela kontak
*Tanggal acara

*Pesan

Untuk pengunjung di electronica 2024

Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.

Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SIA421DJ-T1-GE3

RFQs/pesanan (0)

Indonesia

Indonesia

3182596

Gambar SIA421DJ-T1-GE3.

Vishay Siliconix

SIA421DJ-T1-GE3

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan

1+

$1.04

10+

$0.925

25+

$0.878

100+

$0.721

250+

$0.674

500+

$0.596

1000+

$0.47

Pertanyaan online

Spesifikasi

Nomor bagian

SIA421DJ-T1-GE3
Pabrikan / Merek

Vishay / Siliconix
Kuantitas stok

Persediaan
Deskripsi

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Memimpin Status Bebas / Status RoHS

Memimpin bebas / RoHS Compliant
Lembar data

SIA421DJ-T1-GE3.pdf
Tegangan - Uji

950pF @ 15V
Tegangan - Breakdown

PowerPAK® SC-70-6 Single
Vgs (th) (Max) @ Id

35 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)
Seri

TrenchFET®
Status RoHS

Cut Tape (CT)
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs

12A (Tc)
Polarisasi

PowerPAK® SC-70-6
Nama lain

SIA421DJ-T1-GE3CT
Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis

Surface Mount
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)

1 (Unlimited)
Manufacturer Standard Lead Time

24 Weeks
Nomor Bagian Produsen

SIA421DJ-T1-GE3
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS

29nC @ 10V
IGBT Jenis

±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3V @ 250µA
Fitur FET

P-Channel
Deskripsi yang Diperluas

P-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)

-
Deskripsi

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C

30V
kapasitansi Ratio

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Berita Terkait
pengiriman
Pembayaran

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

Pengiriman

Pembayaran

Berikut ini adalah produk terkait "SIA421DJ-T1-GE3".

SIA411DJ-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Produsen: Vishay Siliconix

Persediaan

SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay

Persediaan

Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.

Ikuti kami

Syarat & Ketentuan Kebijakan Pelanggaran Permintaan Penawaran Tentang kami Hubungi kami Peta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.