Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N6629US
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1101890Gambar JAN1N6629US.Microsemi

JAN1N6629US

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
100+
$21.377
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    JAN1N6629US
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS tidak patuh
  • Model ECAD
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    1.4V @ 1.4A
  • Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max)
    880V
  • Paket Perangkat pemasok
    D-5B
  • Kecepatan
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seri
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    50ns
  • Pengemasan
    Bulk
  • Paket / Case
    E-MELF
  • Nama lain
    1086-19990
    1086-19990-MIL
  • Suhu Operasional - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diode Jenis
    Standard
  • Detil Deskripsi
    Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount D-5B
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    2µA @ 880V
  • Saat ini - rata Rectified (Io)
    1.4A
  • Kapasitansi @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "JAN1N6629US".
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Deskripsi: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

Deskripsi: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Deskripsi: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Deskripsi: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Deskripsi: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Deskripsi: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.