Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N649-1
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
1601822

JAN1N649-1

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    JAN1N649-1
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS tidak patuh
  • Lembar data
    JAN1N649-1.pdf
  • Tegangan - Puncak terbalik (Max)
    Standard
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    400mA
  • Tegangan - Breakdown
    DO-35
  • Seri
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • Status RoHS
    Bulk
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistance @ Jika, F
    -
  • Polarisasi
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Nama lain
    1086-15995
    1086-15995-MIL
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Nomor Bagian Produsen
    JAN1N649-1
  • Deskripsi yang Diperluas
    Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
  • Konfigurasi diode
    50nA @ 600V
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    1V @ 400mA
  • Saat ini - rata Rectified (Io) (per Diode)
    600V
  • Kapasitansi @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "JAN1N649-1".
JAN1N6621

JAN1N6621

Deskripsi: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Deskripsi: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Deskripsi: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Deskripsi: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Deskripsi: TVS DIODE 14CDIP

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Deskripsi: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Deskripsi: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Deskripsi: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Deskripsi: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Deskripsi: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Deskripsi: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Deskripsi: TVS DIODE 14CDIP

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Deskripsi: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Deskripsi: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Deskripsi: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Deskripsi: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.