Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N5619
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
6809838Gambar JAN1N5619.Microsemi

JAN1N5619

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$8.25
10+
$7.425
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    JAN1N5619
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS tidak patuh
  • Lembar data
    JAN1N5619.pdf
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    1.6V @ 3A
  • Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max)
    600V
  • Kecepatan
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seri
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    250ns
  • Pengemasan
    Bulk
  • Paket / Case
    A, Axial
  • Nama lain
    1086-2110
    1086-2110-MIL
  • Suhu Operasional - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    8 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diode Jenis
    Standard
  • Detil Deskripsi
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    500nA @ 800V
  • Saat ini - rata Rectified (Io)
    1A
  • Kapasitansi @ Vr, F
    -

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "JAN1N5619".
JAN1N5616

JAN1N5616

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Deskripsi: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.