Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Dioda - Rectifier - Single > JAN1N5417US
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
541267

JAN1N5417US

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
100+
$13.24
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    JAN1N5417US
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Berisi timbal / RoHS tidak patuh
  • Lembar data
    JAN1N5417US.pdf
  • Tegangan - Forward (Vf) (Max) @ Jika
    1.5V @ 9A
  • Tegangan - DC terbalik (Vr) (Max)
    200V
  • Paket Perangkat pemasok
    B, SQ-MELF
  • Kecepatan
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seri
    Military, MIL-PRF-19500/411
  • Sebaliknya Pemulihan Waktu (trr)
    150ns
  • Pengemasan
    Bulk
  • Paket / Case
    SQ-MELF, B
  • Nama lain
    1086-2089
    1086-2089-MIL
  • Suhu Operasional - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    8 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • diode Jenis
    Standard
  • Detil Deskripsi
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Saat ini - Reverse Kebocoran @ Vr
    1µA @ 200V
  • Saat ini - rata Rectified (Io)
    3A
  • Kapasitansi @ Vr, F
    -

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "JAN1N5417US".
JAN1N5314-1

JAN1N5314-1

Deskripsi: DIODE CURRENT REG 100V

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5312UR-1

JAN1N5312UR-1

Deskripsi: DIODE CURRENT REG 100V

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5416US

JAN1N5416US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5417

JAN1N5417

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5313UR-1

JAN1N5313UR-1

Deskripsi: DIODE CURRENT REG 100V

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5420US

JAN1N5420US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5415

JAN1N5415

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5518B-1

JAN1N5518B-1

Deskripsi: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5418

JAN1N5418

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5313-1

JAN1N5313-1

Deskripsi: DIODE CURRENT REG 100V

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5518CUR-1

JAN1N5518CUR-1

Deskripsi: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5416

JAN1N5416

Deskripsi: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5415US

JAN1N5415US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5418US

JAN1N5418US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5420

JAN1N5420

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5314UR-1

JAN1N5314UR-1

Deskripsi: DIODE CURRENT REG 100V

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5419

JAN1N5419

Deskripsi: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5419US

JAN1N5419US

Deskripsi: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
JAN1N5518BUR-1

JAN1N5518BUR-1

Deskripsi: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
JAN1N5518C-1

JAN1N5518C-1

Deskripsi: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.