Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > APT37M100B2
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
5744265Gambar APT37M100B2.Microsemi

APT37M100B2

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$24.77
30+
$21.058
120+
$19.571
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    APT37M100B2
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    1.APT37M100B2.pdf
    2.APT37M100B2.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    T-MAX™ [B2]
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 18A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    1135W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-247-3 Variant
  • Nama lain
    APT37M100B2MI
    APT37M100B2MI-ND
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    17 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    9835pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    1000V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 1000V 37A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    37A (Tc)

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "APT37M100B2".
APT4012BVR

APT4012BVR

Deskripsi: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Deskripsi: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT37F50S

APT37F50S

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Deskripsi: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT38M50J

APT38M50J

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

Deskripsi: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT38F80B2

APT38F80B2

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Deskripsi: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT36GA60B

APT36GA60B

Deskripsi: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT38N60BC6

APT38N60BC6

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT39F60J

APT39F60J

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Deskripsi: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Deskripsi: MOSFET N-CH 700V TO247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT39M60J

APT39M60J

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Deskripsi: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT37F50B

APT37F50B

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

Deskripsi: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT38F80L

APT38F80L

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Deskripsi: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.