Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > APT11F80S
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
5641442Gambar APT11F80S.Microsemi

APT11F80S

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    APT11F80S
  • Pabrikan / Merek
    Microsemi
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    APT11F80S.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    D3Pak
  • Seri
    POWER MOS 8™
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 6A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    337W (Tc)
  • Pengemasan
    Tube
  • Paket / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2471pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    800V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Selatan berencana untuk memberlakukan tindakan chip u...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "APT11F80S".
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Deskripsi: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Deskripsi: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Deskripsi: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Deskripsi: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Deskripsi: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Deskripsi: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Deskripsi: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Deskripsi: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Produsen: Microsemi Corporation
Persediaan
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Deskripsi: IGBT 600V 41A 187W TO247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Deskripsi: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Deskripsi: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Deskripsi: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Deskripsi: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Produsen: Microsemi
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.