Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > SI2306-TP
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
5371019

SI2306-TP

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.087
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    SI2306-TP
  • Pabrikan / Merek
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    SI2306-TP.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    SOT-23
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    65 mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Power Disipasi (Max)
    750mW
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Nama lain
    SI2306-TPMSTR
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    22 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    305pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.5nC @ 5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 3.16A (Ta) 750mW Surface Mount SOT-23
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    3.16A (Ta)

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "SI2306-TP".
SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2304DS,215

SI2304DS,215

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

Produsen: Nexperia
Persediaan
RFQ
SI2307CDS-T1-GE3

SI2307CDS-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2305B-TP

SI2305B-TP

Deskripsi: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Produsen: Micro Commercial Components (MCC)
Persediaan
RFQ
SI2305-TP

SI2305-TP

Deskripsi: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Produsen: Micro Commercial Components (MCC)
Persediaan
RFQ
SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2305ADS-T1-E3

SI2305ADS-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2305ADS-T1-GE3

SI2305ADS-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2307BDS-T1-GE3

SI2307BDS-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Deskripsi: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
SI2307-TP

SI2307-TP

Deskripsi: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Produsen: Micro Commercial Components (MCC)
Persediaan
RFQ
SI2307BDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.