Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > RS3E095BNGZETB
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4447776

RS3E095BNGZETB

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$0.88
10+
$0.767
100+
$0.592
500+
$0.438
1000+
$0.351
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    RS3E095BNGZETB
  • Pabrikan / Merek
    LAPIS Technology
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    RS3E095BNGZETB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-SOP
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    2W (Tc)
  • Pengemasan
    Cut Tape (CT)
  • Paket / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Nama lain
    RS3E095BNGZETBCT
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    680pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27

AMD meluncurkan konstruksi fase kedua dari pusat desain Ban...

2024/11/26
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "RS3E095BNGZETB".
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Deskripsi: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.