Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > RS1G150MNTB
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4886039Gambar RS1G150MNTB.LAPIS Semiconductor

RS1G150MNTB

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
2500+
$0.405
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    RS1G150MNTB
  • Pabrikan / Merek
    LAPIS Technology
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    1.RS1G150MNTB.pdf
    2.RS1G150MNTB.pdf
  • Model ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-HSOP
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    10.6 mOhm @ 15A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-PowerTDFN
  • Nama lain
    RS1G150MNTBTR
  • Suhu Operasional
    150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    40 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    930pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    40V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 40V 15A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    15A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip mengumumkan 500 PHK, dengan biaya restrukturisasi...

2024/12/4

Quanta: Permintaan AI terus menjadi kuat, dengan aliran pes...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung secara signifikan mengurangi penggunaan photoresist...

2024/12/2

Vishay akan menginvestasikan £ 51 juta di NWF Wafer Fab ya...

2024/11/29

Ancaman Tarif Trump, Nvidia, Pemasok Intel Menilai Rencana ...

2024/11/28

Intel akan menerima $ 7,86 miliar subsidi di bawah US Chip ...

2024/11/27
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "RS1G150MNTB".
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Deskripsi: DIODE

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS1GB-13

RS1GB-13

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
RS1G M2G

RS1G M2G

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Deskripsi: DIODE, FAST, 1A, 400V

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Produsen: Diodes Incorporated
Persediaan
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Deskripsi: DIODE

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS1G180MNTB

RS1G180MNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RS1GFA

RS1GFA

Deskripsi: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Produsen: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Persediaan
RFQ
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Deskripsi: DIODE, FAST, 1A, 400V

Produsen: TSC (Taiwan Semiconductor)
Persediaan
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Deskripsi: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produsen: Electro-Films (EFI) / Vishay
Persediaan
RFQ
RS1G300GNTB

RS1G300GNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiBeritaPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.