Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > RQ3E100BNTB
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
595842

RQ3E100BNTB

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
3000+
$0.123
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    RQ3E100BNTB
  • Pabrikan / Merek
    LAPIS Technology
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    1.RQ3E100BNTB.pdf
    2.RQ3E100BNTB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    8-HSMT (3.2x3)
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    10.4 mOhm @ 10A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    2W (Ta)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    8-PowerVDFN
  • Nama lain
    RQ3E100BNTBTR
  • Suhu Operasional
    150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    40 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    1100pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    4.5V, 10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    30V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 30V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "RQ3E100BNTB".
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Deskripsi: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Deskripsi: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E070BNTB

RQ3E070BNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3C150BCTB

RQ3C150BCTB

Deskripsi: MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Deskripsi: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.