Untuk pengunjung di electronica 2024

Pesan waktu Anda sekarang!

Yang diperlukan hanyalah beberapa klik untuk memesan tempat Anda dan mendapatkan tiket stan

Booth Hall C5 220

Pendaftaran lanjutan

Untuk pengunjung di electronica 2024
Anda semua mendaftar! Terima kasih telah membuat janji!
Kami akan mengirimkan tiket stan melalui email setelah kami memverifikasi reservasi Anda.
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > R6030KNZ1C9
RFQs/pesanan (0)
Indonesia
Indonesia
4133923Gambar R6030KNZ1C9.LAPIS Semiconductor

R6030KNZ1C9

Minta Penawaran

Harap selesaikan semua bidang yang diperlukan dengan informasi kontak Anda. Klik "Kirim RFQ" Kami akan segera menghubungi Anda melalui email.Atau email kami:info@ftcelectronics.com

Reference Price (dalam dolar AS)

Persediaan
1+
$4.09
10+
$3.651
100+
$2.994
500+
$2.424
1000+
$2.045
Pertanyaan online
Spesifikasi
  • Nomor bagian
    R6030KNZ1C9
  • Pabrikan / Merek
    LAPIS Technology
  • Kuantitas stok
    Persediaan
  • Deskripsi
    MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
  • Memimpin Status Bebas / Status RoHS
    Memimpin bebas / RoHS Compliant
  • Lembar data
    R6030KNZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket Perangkat pemasok
    TO-247
  • Seri
    -
  • Rds Pada (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Power Disipasi (Max)
    305W (Tc)
  • Pengemasan
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / Case
    TO-247-3
  • Nama lain
    R6030KNZ1C9TR
    R6030KNZ1C9TR-ND
  • Suhu Operasional
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • mount Jenis
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Manufacturer Standard Lead Time
    13 Weeks
  • Status Gratis Memimpin / Status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS
    2350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET Jenis
    N-Channel
  • Fitur FET
    -
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif)
    10V
  • Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss)
    600V
  • Detil Deskripsi
    N-Channel 600V 30A (Tc) 305W (Tc) Through Hole TO-247
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Antropik menerima investasi $ 4 miliar lagi dari Amazon, da...

2024/11/23

Semi: Penjualan IC meningkat sebesar 12% di Q3, pertumb...

2024/11/22

Dilaporkan bahwa Kioxia akan menerima persetujuan daftar pa...

2024/11/21

Platform optik silikon terbaru Tower Semiconductor telah di...

2024/11/20

Industri pulih perlahan.Pemasok epitaxial IQE menganggap me...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Pemasok: Sejumlah besar komponen GPU seri RTX 50 akan dikir...

2024/11/18

Nilai keluaran Taiwan, China Semiconductor akan tumbuh sebe...

2024/11/17

Memperluas produksi panel OLED, LG Display akan menginvesta...

2024/11/15

Amazon meningkatkan upaya untuk membuat chip AI yang disesu...

2024/11/14

Laba bersih Q3 Pegatron adalah NT $ 4,296 miliar, penurunan...

2024/11/13
Pengiriman
Pembayaran
Berikut ini adalah produk terkait "R6030KNZ1C9".
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Deskripsi: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Deskripsi: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Produsen: Powerex, Inc.
Persediaan
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Deskripsi: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Produsen: LAPIS Semiconductor
Persediaan
RFQ
Sebagai satu -satunya distributor pasar terbuka publik, kami memiliki kombinasi unik dari akses global, keahlian industri manufaktur, dan kualitas yang terbukti.Dengan ini, kami dapat membuat solusi rantai pasokan end-to-end yang disesuaikan untuk sumber komponen elektronik dan manajemen inventaris.
Ikuti kami
Syarat & KetentuanKebijakan PelanggaranPermintaan PenawaranTentang kamiHubungi kamiPeta Situs

Pilih bahasa

Klik pada ruang untuk keluar

Bahasa saat ini

Pilih negara atau wilayah Anda.